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            中国半导体功率器件设计领军者——无锡新洁能登陆A股

            9月28日,中国半导体功率器件设计领军者——无锡新洁能股份有限公司(股票简称“新洁能”、股票代码“605111”)在上交所主板正式挂牌上市,本次A股发行价为19.91元/股,发行数量为2530万股,保荐机构(主承销商)为平安证券股份有限公司。

            连续4年荣膺“中国半导体功率器件十强企业”

            新洁能成立于2013年1月,专业从事MOSFET(金属—氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售。公司是专业化垂直分工厂商,芯片主要由公司设计方案后交由芯片代工企业进行生产,功率器件主要由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。公司已初步完成部分先进封装测试生产线的建设,将部分芯片自主封装成品后对外销售。公司产品系列齐全,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子以及新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等领域。自2016年以来,公司连续4年名列中国半导体行业协会发布的“中国半导体功率器件十强企业”,为国内领先的半导体功率器件设计企业之一。

            新洁能基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品,是国内率先掌握 超结理论技术,并量产屏蔽栅功率 MOSFET 及超结功率 MOSFET 的企业之一, 是国内最早同时拥有沟槽型功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET 及 IGBT 四大产品平台的本土企业之一,为国内 MOSFET 等功率器件 市场占有率排名前列的本土企业。凭借先进的技术、丰富的产品种类、卓越的品质和优质的客户服务水平,取得了客户的广泛好评和较好的市场口碑。

            根据招股说明书,新洁能将进一步依托技术、品牌、渠道等综合优势,结合大尺寸晶圆(8 英寸、12 英寸)先进工艺技术,开拓国际先 进功率器件封装制造技术,全力推进高端功率 MOSFET、IGBT 的研发与产业化, 持续布局半导体功率器件最先进的技术领域,并投入对 SiC/GaN 宽禁带半导体、 智能功率器件的研发及产业化,提升其核心产品竞争力和国内外市场地位。

            新洁能产品器件结构不同、功能有所差异,主要分类包括沟槽型功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET、绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)以及功率模块等多品类产品系列。


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            新洁能的产品用途广泛,主要运用于消费电子、汽车电子、工业电子以及新能 源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等新兴领域。 产品下游运用行业情况如下图所示:


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